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R424B DFN2x2-6 小封裝 復(fù)合鋰電保護 4.42V過充保護 4A過流 高壓電芯適用
RB424內(nèi)置mos和保護 鋰電池二合一保護芯片
概述:
RB424B是一款內(nèi)置 MOSFET 的單節(jié)鋰電池保護芯片。該芯片具有非常低的功耗和非常低
阻抗的內(nèi)置 MOSFET。該芯片有充電過壓,充電過流,放電過壓,放電過流,過熱,短
路等各項保護等功能,確保電芯安全,高效的工作。RB424B采用 DFN2X2-6封裝,外圍只需要一
個電阻和一個電容,應(yīng)用極其簡潔,工作安全可靠。
特性:
內(nèi)置 36 m? MOSFET
超小超薄 DFN2X2-6封裝
內(nèi)置過溫保護
二重過放電流檢測保護
超小靜態(tài)電流和休眠電流
A 靜態(tài)工作電流為 1.7 uA
B 休眠電流為 0.3 uA
6 符合歐洲 "ROHS" 標(biāo)準(zhǔn)的無鉛產(chǎn)品
應(yīng)用:
單節(jié)鋰離子可充電電池組
單節(jié)鋰聚合物可充電電池組




